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鑄錠提純錠
我司采用科學配比及先進的鑄錠工藝,生產的產品具有低雜質、高效率的特點,是良好的單晶硅棒原料。
技術參數
項目
技術參數
表面質量
無肉眼可見雜質陰影、無損傷
導電型號/摻雜劑
P/摻稼
電阻率
≥1Ω·cm
少子壽命
≥5μs
氧含量
≤0.8 X10
18
atoms/cm3
碳含量
≤0.5 X10
1
7
atoms/cm3
生長方法
DSS
QQ
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